12 марта – ИА SM.News. Компания Samsung представила общественности новую разработку своих мастеров — кристалл памяти SRAM плотностью 256 Гбит, который впервые изготовлен по нормам 3 нм, пишет портал Techpowerup.
В ходе Международной конференции IEEE по твердотельным схемам (ISSCC) представители южнокорейской компании сообщили, что микросхема построена на новейшей технологии транзисторов Gate All Around (GAAFET), приходящей на смену существующей технологии FinFET.
В данной микросхеме используется один из двух вариантов новой технологии под названием MBCFET. Подход позволяет заметно уменьшить энергопотребление в сравнении с предшественниками.
Массовое производство трёхнанометрового техпроцесса ожидается в 2022 году.
